非晶矽太陽電池

非晶矽太陽電池是1976年有出現的新型薄膜式太陽電池，它與單晶矽和多晶矽太陽電池的製作方法完全不同，矽材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。 製造非晶矽太陽電池的方法有多種，最常見的是輝光放電法，還有反應濺射法、化學氣相沉積法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。 同時，非晶矽太陽電池很薄，可以製成疊層式，或採用積體電路的方法製造，在一個平面上，用適當的掩模工藝，一次製作多個串聯電池，以獲得較高的電壓。

非晶矽太陽電池是1976年有出現的新型薄膜式太陽電池，它與單晶矽和多晶矽太陽電池的製作方法完全不同，矽材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。
製造
製造非晶矽太陽電池的方法有多種，最常見的是輝光放電法，還有反應濺射法、化學氣相沉積法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空，充入氫氣或氬氣稀釋的矽烷，用射頻電源加熱，使矽烷電離，形成電漿。非晶矽膜就沉積在被加熱的襯底上。若矽烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼，即可得到N型或P型的非晶矽膜。襯底材料一般用玻璃或不鏽鋼板。這種製備非晶矽薄膜的工藝，主要取決於嚴格控制氣壓、流速和射頻功率，對襯底的溫度也很重要。
　　結構
非晶矽太陽電池的結構有各種不同，其中有一種較好的結構叫PiN電池，它是在襯底上先沉積一層摻磷的N型非晶矽，再沉積一層未摻雜的i層，然後再沉積一層摻硼的P型非晶矽，最後用電子束蒸發一層減反射膜，並蒸鍍銀電極。此種製作工藝，可以採用一連串沉積室，在生產中構成連續程式，以實現大批量生產。同時，非晶矽太陽電池很薄，可以製成疊層式，或採用積體電路的方法製造，在一個平面上，用適當的掩模工藝，一次製作多個串聯電池，以獲得較高的電壓。
發展
因為普通晶體矽太陽電池單個只有0.5伏左右的電壓，現在日本生產的非晶矽串聯太陽電池可達2.4伏。目前非晶矽太陽電池存在的問題是光電轉換效率偏低，國際先進水平為10％左右，且不夠穩定，常有轉換效率衰降的現象，所以尚未大量用於作大型太陽能電源，而多半用於弱光電源，如袖珍式電子計算器、電子鐘錶及複印機等方面。估計效率衰降問題克服後，非晶矽太陽電池將促進太陽能利用的大發展，因為它成本低，重量輕，套用更為方便，它可以與房屋的屋面結合構成住戶的獨立電源。
在猛烈陽光底下，單晶體式太陽能電池板較非晶體式能夠轉化多一倍以上的太陽能為電能，但可惜單晶體式的價格比非晶體式的昂貴兩三倍以上，而且在陰天的情況下非晶體式反而與晶體式能夠收集到差不多一樣多的太陽能。