隔離柵電晶體
正文
一種功率場效應電晶體與雙極型功率電晶體的複合器件。又稱電導調製場效應電晶體(即COMFET)。![隔離柵電晶體](/img/6/d01/nBnauM3X0MzN0cDO3kzMxgDM5ETMwADMwADMwADMwADMxAzLzEzL0MzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmL0E2LvoDc0RHa.jpg)
IGT 管心的部分剖面結構(圖2)顯示,IGT 由功率場效應電晶體(Ⅰ)與雙極型功率電晶體(Ⅱ)兩個部分組成。
![隔離柵電晶體](/img/d/e28/nBnauM3XyIjM0gDO3kzMxgDM5ETMwADMwADMwADMwADMxAzLzEzLyIzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLzE2LvoDc0RHa.jpg)
80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)與功率MOSFET差不多。 在90年代有希望達到80年代中期GTR的水平,其開關頻率則不會超過 GTR。用在100kHz以下、10kW以內的電力電子裝置中,IGT既比功率MOSFET的效率高,又比GTR的驅動線路簡單。IGT做成模組及組件後會更有利於套用。