耗盡區

耗盡區，定義為在半導體pn結、肖特基結、異質結中，由於界面兩側半導體原有化學勢的差異導致界面附近能帶彎曲，從而形成能帶彎曲區域電子或空穴濃度的下降的區域。

基本內容

物理專業名詞耗盡區：在半導體pn結、肖特基結、異質結中，由於界面兩側半導體原有化學勢的差異導致界面附近能帶彎曲，從而形成能帶彎曲區域電子或空穴濃度的下降，這一界面區域在半導體物理中稱為耗盡區。