儀器簡介
紅外探傷測試儀是專門用於多晶矽片生產中的矽塊矽棒矽片的裂縫、雜質、黑點、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。
工作原理
多晶矽紅外探傷測試儀主要由紅外光源，旋轉台，成像系統構成。成像系統的參數設定包括光照亮度，對比度，伽馬射線和一體化的時間設定，獲取模式選擇和損壞像素管理。旋轉台由單軸伺服電機驅動，同時擁有光電編碼器的位置檢查的功能。軟體也可以直接控制伺服電機。
通常都是在矽塊清洗處理後線切割前進行紅外探傷，線上切割前進行紅外探傷不僅可以減少線痕片，而且可以減少SiC斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統中。斷線的修復是一個費時費力的工作，同時不是所有的斷線都能夠成功。因此它是多晶矽片生產中不可或缺的工具。
儀器特點
■為太陽能多晶矽片過程中的質量控制提供了強大的監測工具
■檢測速度快，平均每個矽塊檢測時間為不超過1分鐘
■NIRVision軟體能夠分析4面探傷結果，並且直接將結果轉換成三維模型圖像
■成像過程將自動標出夾雜的位置所在
■獨特的加強型內插法為高解析度的雜質探傷功能提供了強大的技術保障
■採用歐洲數控工程鋁合金材料
■表面都採用了高強度漆面和電氧化工藝保護
■系統外框採用高質量工業設計
■所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求
■能夠通過自動或手動旋轉對矽塊的前後左右四面和上下兩面進行全面探傷。
■紅外光源通過交直流光源進行控制，光強可以通過軟體直接控制，同時它具有過熱保護功能
■同時軟體包含了雜質圖像的管理分析功能
■穩定性和耐用性俱佳。
■探傷測試面最好進行拋光處理，因此我們推薦線上切割之前進行紅外探傷
■紅外成像光源受電阻率影響，矽塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多
■一般電阻率不能低於0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上
部分技術參數
■主要探測指標：夾雜（通常為SiC），隱裂，微粒等
■矽塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（推薦）
■檢測時間：平均每個矽塊1分鐘
■最大探測深度：200mm
■外框和箱體
>尺寸：143x53x55
>外框採用數控工程鋁合金
>外框是覆蓋靜電強力漆鋁面板
>主機重量：98 kg
>附屬檔案重量：25 kg
■旋轉台
>採用單軸伺服電機
>最大承載量:40kg
> 具有過流保護以防止損傷和電機燒毀
>無步進損失，高解析度解碼機器
■紅外光源
>高強度NIR鹵燈，273mm加熱波長
>功率：230V, 1000W
>溫度：25-60攝氏度
>光強可通過軟體控制
>軟體具有過熱保護
■觀測儀
>採用紅外CCD控溫
>12位ADC
> 頻率：60Hz和100Hz兩個選擇
>像素間距: 30μm
>解析度：: 320x256 像素
>可手動調節紅外鏡頭
儀器的實際套用
籽晶的在探傷儀的探傷效果圖：
籽晶探傷效果圖