套用
電漿處理可套用於所有的基材，甚至複雜的幾何構形都可以進行電漿活化、電漿清洗，電漿鍍膜也毫無問題。電漿處理時的熱負荷及機械負荷都很低，因此，低壓電漿也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機的典型套用包括：
等離子刻蝕反應光阻材料剝離；
表面處理；
各向異性和各向同性失效分析套用材料改性；
包裝清洗；
鈍化層蝕刻；
聚亞醯胺蝕刻；
增強粘接力；
生物醫學套用；
聚合反應；
混合物清洗；
預結合清洗。
構造工作原理
等離子刻蝕機的組成一般包括等離子發生器（工業上常用RF激發法），真空室，和電極。
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其工作原理是用電漿中的自由基（radical）去轟擊（bombard）或濺射（sputter）被刻蝕材料的表面分子，形成易揮發物質，從而實現刻蝕的目的。也有部分等離子刻蝕機採用反應離子刻蝕技術（Reactive Ion Etching）。
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影響因素
刻蝕
殘留物–刻蝕率（Etch Rate）；
–氣壓（Pressure）；–溫度（Temperature）提高溫度會提高刻蝕率；
–Micro-loading；
–刻蝕後腐蝕（Post-etch corrosion）；
–殘留物（residual）。
濕法刻蝕缺點
1.矽片水平運行，機片高（等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩乾，矽片受衝擊小）；
2.下料吸筆易污染矽片（等離子刻蝕去PSG後甩乾）；
3.傳動滾抽易變形（PVDF，PP材質且水平放置易變形）；
4.成本高（化學品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。
此外，有些等離子刻蝕機，如SCE等離子刻蝕機還具備“綠色”優勢：無氟氯化碳和污水、操作和環境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。
SCE等離子刻蝕機支持以下四種平面電漿處理模式：
直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式——需要非等向性刻蝕（anisotropicetching）的基片可以放置在特製的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的電漿效果。
定製模式——當平面刻蝕配置不過理想時，特製的電極配置可以提供。
工藝——裝片
電漿系統效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕矽片的兩邊，分別放置一片與矽片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的矽片中間沒有大的縫隙。
冷熱探針法等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：
熱探針和N型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對於同一材料上的室溫觸點而言將是正的。
同樣道理，P型半導體熱探針觸點相對於室溫觸點而言將是負的。
此電勢差可以用簡單的微伏表測量。
熱探針的結構可以是將小的熱線圈繞在一個探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵。
測量與控制
由於等離子刻蝕工藝中的過程變數，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，
等離子刻蝕過程控制示意圖因此業界常用的測量方法有：
虛擬測量（Virtual Metrology）；
光譜測量（Optical emission spectroscopy）；等離子阻抗監控（Plasma impedance monitoring）；
終端探測（end-point detection）；
遠程耦合感測（remote-coupled sensing）。
等離子刻蝕過程的常見控制方法有：
run-to-run控制（R2R）；
模型預測控制（MPC）；
人工神經網路控制。
等離子刻蝕檢驗操作及判斷：
1.確認萬用表工作正常，量程置於200mV。
2.冷探針連線電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。
3.用冷、熱探針接觸矽片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型。
4.如果經過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批矽片需要重新裝片，進行刻蝕。
