研磨拋光液

金剛石研磨液根據磨料不同的分類: 金剛石研磨液的套用: 2、多晶金剛石研磨液液

研磨拋光液
研磨拋光液介紹:
研磨拋光液是不同於固結磨具,塗附磨具的另一類“磨具”,磨料在分散劑中均勻、游離分布。研磨拋光液可分為研磨液和拋光液。一般研磨液用於粗磨,拋光液用於精密磨削。拋光液通常用於研磨液的下道工序,行業中也把拋光液稱為研磨液或把研磨液稱為拋光液的。
研磨液分類:
研磨液按其作用機理分:機械作用研磨液,化學機械作用研磨液。
機械作用的研磨液:以金剛石、B4C等為磨料,通過添加分散劑等方式分散到液體介質中,從而形成具有磨削作用的液體,稱為金剛石研磨液、碳化硼研磨液等。磨料在分散液中游離分布,利用磨料硬度比待磨工件硬度大的原理,實現工件的研磨、減薄。根據磨料的表面、顆粒大小及研磨液配置、研磨設備穩定性等情況,研磨完成後,工件表面容易留下或大或小的劃痕。所以,機械作用的研磨液一般用於粗磨,後續還需要精密研磨拋光。
化學機械作用研磨液:化學機械作用研磨液利用了磨損中的“軟磨硬”原理,即用較軟的材料來進行拋光以實現高質量的拋光表面,是機械削磨和化學腐蝕的組合技術,它藉助超微粒子的研磨作用和化學腐蝕作用在被研磨的介質表面形成光潔平坦表面。所以化學機械作用研磨液又稱為化學機械拋光液(Chemical Mechanical Polishing,簡稱CMP)。在一定壓力及拋光漿料存在下,被拋光工件相對於拋光墊作相對運動,藉助於納米粒子的研磨作用與氧化劑的腐蝕作用之間的有機結合,在被研磨的工件表面形成光潔表面。
化學機械拋光液(CMP)根據磨料不同的分類:
二氧化矽研磨液,氧化鈰研磨液,氧化鋁研磨液等。
金剛石研磨液根據磨料不同的分類:
金剛石研磨液是由金剛石磨料與分散液組成,根據金剛石微粉的類型分為單晶金剛石研磨液、多晶金剛石研磨液和爆轟納米金剛石研磨液三種。
金剛石研磨液的套用:
1、單晶金剛石研磨液
單晶金剛石研磨液具有良好的切削力,加工成本相對較低。廣泛適用於超硬材料、硬質合金等硬質材料的研磨拋光。既可以提高磨削速率,又可以將磨削過程中產生的大量熱量迅速排走,從而避免工件表面被燒傷。
2、多晶金剛石研磨液液
多晶金剛石研磨液利用多晶金剛石良好的韌性,在研磨拋光過程中能夠保持高磨削力的同時不易產生劃傷,為後續精密拋光加工提供了良好的條件。廣泛用於光學晶體、陶瓷、超硬合金等各種硬質材料的研磨和拋光。
3、納米金剛石研磨液
納米金剛石研磨液是由爆轟金剛石微粉在水中均勻分散而成,具有良好的分散穩定性,廣泛適用於超精密拋光。光學玻璃和寶石對加工的精度有著極高的要求,納米金剛石研磨液可以在保持較高磨削速率的同時,形成高質量的加工表面。
CMP拋光液的套用:
1. LED行業
目前LED晶片主要採用的襯底材料是藍寶石,在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度極高,普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨後,表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業的快速發展,聚晶金剛石研磨液及二氧化矽溶膠拋光液的需求也與日俱增。
2.半導體行業
CMP技術還廣泛的套用於積體電路(IC)和超大規模積體電路中(ULSI)對基體材料矽晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展,對拋光技術提出了新的要求,傳統的拋光技術(如:基於澱積技術的選擇澱積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表面,但卻都是局部平面化技術,不能做到全局平面化,而化學機械拋光技術解決了這個問題,它是目前唯一的可以在整個矽圓晶片上全面平坦化的工藝技術。

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