研究方向
研究方向為半導體光電材料與器件，承擔凝聚態物理、大學物理、 數字電子技術等課程的教學任務。
個人履歷
教育背景及工作經歷
1997.9-2001.7遼寧師範大學理系物 物理教育專業 本科
2001.8-2004.8 高中物理教師
2004.9-2006.7大連理工大學 微電子學與固體電子學專業 碩士
2006.9-2009.6大連理工大學 微電子學與固體電子學專業 博士
2009.6至今 遼寧師範大學 物理與電子技術院講師 並於2010年3月進入吉林電子科學與技術博士後流動站做博士後
研究項目
1. 參與國家自然科學基金《氧化鋅基結形結構的低成本超聲噴霧化學沉積法生長及其缺陷相關電子缺陷研究》（NSFC. No. 10804014)
2. 遼寧師範大學科研啟動基金《氧化鋅光電材料研究》（No.203304）
發表文章
1. J. C. Sun, J. Z. Zhao, H. W. Liang，et al, “Realization of ultraviolet electroluminescence from ZnO homojunction with n- ZnO/p-ZnO:As/GaAs structure”，Applied Physics Letters， 90（2007）121128.
2. J. C. Sun, H. W. Liang, J. Z. Zhao, et al, “Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO:Ga/p-ZnO:N homojunction device on sapphire substrate with p-type ZnO:N layer formed by annealing in N2O plasma ambient”, Chemical Physics Letters. 460（2008） 548.
3. Jingchang Sun, Jimingbian, Hongwei Liang，et al, “Realization of controllable etching for ZnO film by NH4Cl aqueous solution and its influence on optical and electrical properties”, Applied Surface Science，253 (2007) 5161.
4. Jingchang Sun, Tianpeng Yang, Guotong Du, et al, “Influence of annealing atmosphere on ZnO thin films grown by MOCVD”,Applied Surface Science，253 (2006) 2066.
5. Jingchang Sun, Hongwei Liang, Jianze Zhao, Jiming Bian，et al, “Annealing effects on electrical and Optical properties of ZnO films deposited on GaAs by MOCVD”, Applied Surface Science，254（2008）7482.
6. Jingchang Sun, Hongwei Liang, Jianze Zhao, et al, “Realization of ultraviolet electroluminescence from ZnO homojunction fabricated on silicon substrate with p-type ZnO:N Layer formed by radical N2O doping”. Chinese Physics Letters, 25 (2008) 4345.
獲得專利
1. 一種Sb摻雜製備p型ZnO薄膜方法,專利號：200810010104.5
2. 一種N摻雜的ZnO的受主激活方法,專利號: 200810010103.0
獲獎情況
2009年大連自然科學優秀論文二等獎
