人物簡介
吳惠楨，男，1959年出生於浙江省東陽市，1982年杭州大學物理系本科畢業，1991～1995英國曼徹斯特大學理工學院（UMIST）留學，1995年獲得UMIST半導體物理專業博士學位，1998年美國俄克拉荷馬大學電子工程系作博士後研究，1999年起任浙江大學物理系教授、博士生導師，2000、2001年美國俄克拉荷馬大學電子工程系和物理系做高級研究員，1999年入選浙江省‘151人才計畫'，2002年入選中國科學院‘百人計畫'專家。
現任浙江大學電子與無線電物理研究所所長，中國儀器儀表學會儀表材料學會理事，《紅外與毫米波學報》編委。
研究方向
半導體低維結構與器件物理
研究課題
(1) IV－VI族半導體低維結構（包括量子阱、超晶格和量子點）的分子束外延、光學、電學和磁學特性及其光電子器件研究。 主持著國家自然科學基金重點項目 1 項，項目名稱： IV-VI 族半導體低維結構的光、電、磁學特性及其中紅外雷射器研究（ 2005 年 1 月— 2008 年 12 月）。
(2) ZnO 基微結構材料的製備、物理特性及其在微納電子、光電子器件中的套用研究。主持著國家自然科學基金面上項目 1 項，項目名稱： ZnO 晶體薄膜及其量子點結構的光學性質研究。
學術成績
近年來發表 SCI、EI論文80餘篇（其中權威性雜誌Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等雜誌近10篇）；國際會議報告五次；論文他引150餘次；申請國家發明專利6項；
《 LASER FOCUS WORLD》雜誌在2001年將IV－VI中紅外VCSEL的研究成果作了突破性進展的專門報導。 獲得二○○三年浙江省教育廳科技進步二等獎。
