主要特點
此法與普通燒結法比較，有如下兩個主要特點：
(1)提高製品質量， 燒成的製品不收縮，尺寸不變化；
(2) 反應速度快， 傳質和 傳熱過程貫徹在燒結全過程。
普通燒結法物質 遷移過程發生在 坯體顆粒與顆粒的局部，反應燒結法物質遷移過程發生在長距離範圍內。
分為液相反應燒結和氣相反應燒結兩類。採用前一類的居多。
例如，燒結氧氮化矽坯件時添加 矽、 二氧化矽和 氟化鈣(或 氧化鈣、 氧化鎂等，玻璃相形成劑)同 氮反應生成二氮氧化二矽(Si2ON2)，氧化鈣、氧化鎂等同二氧化矽形成 玻璃相，氮溶解在焙融體(玻璃相)中；Si2ON2， 晶體從被氮飽和的玻璃相中析出。這樣制出的氧 氮化矽的 密度可相當於理論密度90%以上。
工藝過程
反應燒結的工藝過程為：先將α－SiC粉和石墨粉按比例混勻，經乾壓、擠壓或注漿等方法製成多孔坯體。在高溫下與液態Si接觸，坯體中的C與滲入的Si反應，生成β－SiC，並與α－SiC相結合，過量的Si填充於氣孔，從而得到無孔緻密的反應燒結體。反應燒結SiC通常含有8%的游離Si。因此，為保證滲Si的完全，素坯應具有足夠的孔隙度。一般通過調整最初混合料中α－SiC和C的含量，α－SiC的粒度級配，C的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當的素坯密度。
實驗表明，採用無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的SiC陶瓷具有各異的性能特點。如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結SiC陶瓷相對較多，反應燒結SiC相對較低。另一方面，SiC陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的不同而不同。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結SiC陶瓷對強酸、強鹼具有良好的抵抗力，但反應燒結SiC陶瓷對HF等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當溫度低於900℃時，幾乎所有SiC陶瓷強度均有所提高；當溫度超過1400℃時，反應燒結SiC陶瓷抗彎強度急劇下降。（這是由於燒結體中含有一定量的游離Si，當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致）對於無壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。
