化學機械研磨

一 概述

化學機械研磨CMP概圖

晶圓製造中，隨著製程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻(Lithography)技術對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高，IBM公司於1985年發展CMOS產品引入，並在1990年成功套用於64MB的DRAM生產中。1995年以後，CMP技術得到了快速發展，大量套用於半導體產業。
二 研磨製程分類
研磨製程根據研磨對象不同主要分為：矽研磨(Poly CMP)、矽氧化物研磨(Oxide CMP)、鎢研磨(W CMP)和銅研磨(Cu CMP)。
三 研磨耗材
研磨耗材分為以下幾大類：研磨液(Slurry)、研磨墊(Pad)、金剛石盤(Disk)、研磨頭(Head)、清洗刷(Brush)和化學清洗劑與保護劑(Chemical)等。