相關詞條
-
勢壘
一般在談到半導體的PN結時,就會聯繫到勢壘,這涉及半導體的基礎內容。簡單地說,所謂勢壘也稱位壘,就是在PN結由於電子、空穴的擴散所形成的阻擋層,兩側的電...
基本概念 勢壘的分類 勢壘貫穿 -
勢壘貫穿
勢壘貫穿就是指電子波遇到勢壘而產生的干涉和隧道效應。勢壘能量為U,按經典力學理論,只有粒子能量E大於U的時候才能越過勢壘,運動到勢壘另一側。但量子力學中...
簡單介紹 根本原因 勢壘貫穿問題分析 -
勢壘電容
在積累空間電荷的勢壘區,當PN結外加電壓變化時,引起積累在勢壘區的空間電荷的變化,即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少,這種現象與電容器的充、放電過程...
概述 PN結勢壘電容的測量 套用 -
Schottky勢壘
Schottky勢壘,即肖特基勢壘(Schottky Barrier),是指具有整流特性的金屬-半導體接觸,即具有大的勢壘高度,以及摻雜濃度比導帶或價帶...
簡介 原理 肖特基勢壘二極體 肖特基勢壘二極體的套用及發展 -
肖特基勢壘
kT),以及摻雜濃度比導帶或價帶上態密度低的金屬-半導體接觸(施敏, 半導體器件物理與工藝, 第二版, 7.1.2)。
基本概念 優點 器件 實際使用 -
肖脫基勢壘
肖脫基勢壘是金屬和半導體相接觸時在半導體內形成的勢壘。
肖脫基勢壘 正文 配圖 相關連線 -
pn結勢壘
pn結勢壘就是指pn結的界面存在空間電荷區,該空間電荷區對於載流子而言就是一種能量勢壘。
-
異質結勢壘可變電抗二極體
異質結構勢壘可變電抗二極體,Heterostructure barrier varactor (HBV)是一種性能較好的可變電抗器。其它可變電抗器的種類...
-
漏致勢壘降低效應
漏致勢壘降低效應(Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) Effect)是超大規模MOSFET器件中重要的物理效應,...
-
勢壘注入渡越時間二極體
勢壘注入渡越時間二極體(BARITT diode,Barrier Injection Transit Time Diode)與IMPATT(雪崩注入渡越...