全球最小的SRAM晶片單元

英特爾公司的研究人員宣布製造出全球最小的SRAM(StaticRandomAccessMemory--靜態隨機存儲晶片)存儲晶片單元,尺寸僅為1平方微米。這些單元是存儲晶片的基本模組,它們是使用英特爾下一代0.09微米(90納米)工藝製造的全功能SRAM設備的一部分。這一成果對於在2003年採用新型製造工藝具有里程碑式的意義。

英特爾高級副總裁兼生產製造事業部總經理SunlinChou先生說:"英
特爾新型的一平方微米SRAM單元為矽技術確立新的密度標準。這一結果使我們在微處理器和其它產品的0.09微米製造工藝方面居於領先地位。"

通過使用新型0.09微米製造工藝,英特爾保持了每兩年推出一代新工藝的記錄。公司將使用這一工藝生產許多其它產品,包括處理器、晶片組和通信產品。英特爾計畫只將0.09微米工藝套用在300毫米(12英寸)晶圓上。

全球最小的SRAM晶片單元

英特爾研究人員製造出的52Mb存儲晶片(能夠存儲5200萬獨立比特的信息),在僅為109平方毫米的晶片上集成有3.3億顆電晶體--比一個一角美元硬幣還小。這是迄今為止報導過的容量最大的SRAM。

這些晶片在英特爾位於俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發工廠(D1C)製造,配合使用先進的193納米和248納米液相工具。

製造SRAM晶片是業界常用的測試下一代邏輯製造工藝的方式。存儲單元的尺寸大小非常重要,因為這使得英特爾可以通過添加更多的片上快取,增加整體邏輯密度,經濟有效地提升微處理器性能。成功生產SRAM同時顯示了使用0.09微米工藝生產微處理器時所需要的全部特性都已經成熟,其中包括高性能電晶體及高速銅線互連。

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