倒裝阱

倒裝阱:利用高能的離子注入,不經過擴散,直接在矽片上的某一深度上形成雜質分布。 在矽襯底上所形成的不同類型的襯底稱為阱。 阱由離子注入和擴散形成,參雜N型稱為N阱,參雜P型稱為P阱。

倒裝阱:利用高能的離子注入,不經過擴散,直接在矽片上的某一深度上形成雜質分布。
倒裝阱的特點:不同阱之間橫向擴散少,阱表面濃度較低,有利於器件特性的改善。
補充:CMOS是大規模積體電路的一般選擇,而CMOS中包含PMOS和NMOS兩種參雜導電類型不同的結構。PMOS的襯底需要是N型的,NMOS的襯底需要是P型的。在矽襯底上所形成的不同類型的襯底稱為阱。阱由離子注入和擴散形成,參雜N型稱為N阱,參雜P型稱為P阱。在同一矽片上形成P阱和N阱稱為雙阱,(Twin-well)。

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