三維有序大孔矽或鍺薄膜的製備方法，涉及一種大孔薄膜的製備方法。是要解決現有的製備三維有序大孔矽或者鍺薄膜的方法所用設備複雜，成本高，所用原料有毒的問題。方法：一、將銅箔用鹽酸浸泡，無水乙醇擦拭，將銅箔......
專利類型： | 發明專利 |
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申請（專利）號： | CN20121.2 |
申請日期： | 2012年10月22日 |
公開(公告)日： | 2013年1月9日 |
公開(公告)號： | CN102864473A |
主分類號： | C25D1/08(2006.01)I,C,C25,C25D,C25D1 |
分類號： | C25D1/08(2006.01)I,C25D1/10(2006.01)I,C25D5/00(2006.01)I,C25D3/54(2006.01)I,C25D9/04(2006.01)I,H01L21/208(2006.01)I,C,H,C25,H01,C25D,H01L,C25D1,C25D5,C25D3,C25D9,H01L21,C25D1/08,C25D1/10,C25D5/00,C25D3/54,C25D9/04,H01L21/208 |
申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
發明（設計）人： | 李垚,劉昕,趙九蓬,張一 |
