內容簡介
納米CMOS電路和物設計本書將納米工藝、器件可製造性、先進電路設計和相關物理實現等內容整合到一起，形成了一套先進的半導體技術，探討了器件和工藝的新發展，提供了設計考慮，重點關注了技術與設計的相互影響，並且描述了可製造性設計和波動性的影響。重要的主題包括納米CMOS工藝縮小問題及其對設計的影響；亞波長光刻；運行問題的物理與理論以及解決方案；可製造性設計和波動性。
圖書目錄
譯者的話
原書序
原書前言
第1章 納米CMoS的縮小問題及內涵
1.1 納米CMOS時代的設計方法
1.2使得性能改善得到延續所必需的創新
1.3 sub.100nm縮小的挑戰和亞波長光刻綜述
1.3.1後道工藝的挑戰(金屬化)
1.3.2前道工藝的挑戰(電晶體)
1.4工藝控制和可靠性
1.5 光刻問題和掩膜數據爆炸
1.6 新型的電路和物理設計工程師
1.7建模的挑戰
1.8 變革設計方法的需要
1.9 總結
參考文獻
第2章 CMOS器件與工藝技術
2.1前道工序的設備要求
2.1.1技術背景
2.1.2柵介質的縮小
2.1.3應變工程
2.1.4快速熱處理技術
2.2在CMOS尺寸縮小中與前道工序相關的器件問題
2.2.1 CMOS縮小的挑戰
2.2.2量子效應模型
2.2.3多晶矽柵耗盡效應
2.2.4金屬柵電極
2.2.5柵直接隧穿泄漏電流
2.2.6寄生電容
2.2.7需要關注的可靠性問題
2.3 後道工序互連線技術
……
第3章 亞波長光刻的理論與實踐
第4章 混合信號電路設計
第5章 靜電放電保護設計
第6章 輸入/輸出設計
第7章 DRAM
第8章 片上互連的?號完整性問題
第9章 超低功耗電路設計
第10章 可製造性設計
第11章 針對波動性的設計
