快速熱退火（rapid thermal annealing）
RTA在現代半導體產業有重要的套用。可以用極快的升溫在目標溫度（1000℃左右）短暫持續，對矽片進行熱處理。注入矽片的退火經常在注入Ar或者N2的快速熱處理機（RTP）中進行。快速的升溫過程和短暫的持續時間能夠在晶格缺陷的修復、激活雜質和最小化雜質擴散三者之間取得最佳化。RTA還能減小瞬時增強擴散。RTA是控制前結注入中結深最佳方法。
RTA是將工件加熱到較高溫度，根據材料和工件尺寸採用不同的保溫時間，然後進行快速冷卻，目的是使金屬內部組織達到或接近平衡狀態，獲得良好的工藝性能和使用性能。
快速熱退火（rapid thermal annealing）
RTA在現代半導體產業有重要的套用。可以用極快的升溫在目標溫度（1000℃左右）短暫持續，對矽片進行熱處理。注入矽片的退火經常在注入Ar或者N2的快速熱處理機（RTP）中進行。快速的升溫過程和短暫的持續時間能夠在晶格缺陷的修復、激活雜質和最小化雜質擴散三者之間取得最佳化。RTA還能減小瞬時增強擴散。RTA是控制前結注入中結深最佳方法。