irf3205

IR的HEXFET功率場效應管irf3205採用先進的工藝技術製造，具有極低的導通阻抗。irf3205這種特性，加上快速的轉換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設計，使得irf3205成為極其高效可靠、套用範圍超廣的器件。

基本信息:

基本參數:

電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V

電壓, Vds 典型值:55V

電流, Id 連續:110A

Qg Typ： 97.3 nC

FET極性: N型溝道

特性:

先進的工藝技術 　貼片安裝 　低端通孔安裝 　超低導通阻抗 　動態dv/dt率 　175℃工作溫度 　快速轉換速率 　無鉛環保