品牌簡稱
hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設的企業展示主站與銷售平台網站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。
異質結雙極電晶體
什麼是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構成的雙極電晶體。
異質結是兩種帶隙寬度不同的半導體材料構成的結，和導電類型不同的結（PN結）無關。多數情況兩類相結合，有時不重合。
由寬頻隙半導體材料製作發射區，以窄帶隙材料製作基區的雙極型電晶體成為異質結雙極型電晶體。
1、分類
按異質結數目：單異質結電晶體（SHBT）---只有發射結為異質結的HBT
雙異質結電晶體（DHBT）---發射結合集電結均為異質結的HBT
按發射結和基區結構：
突變發射結HBT緩變發射結HBT突發發射結緩變基區HBT緩變發射結緩變基區HBT
2、工作原理
同質結雙極管存在的主要問題：為提高電流增益，要求發射區重摻雜、基區輕摻雜，與為提高頻率，又要求減小發射結電容、減少基區電阻而互相矛盾。為了解決該矛盾的根本途徑是採用寬頻隙半導體材料作成發射區，窄帶隙材料作基區。由於降低了電子從發射區注入到基區的勢壘，同時提高了空穴由基區向發射區反注入的勢壘，提高了注入效率，進一步提高了電流增益，使器件在保持較高電流增益的條件下，提高電晶體的速度和工作頻率。
3、特點
HBT與結構相近的同質結電晶體相比，具有以下特點：特徵頻率fT高；最高振盪頻率fmax高；厄利（Early）電壓較高（因基區摻雜濃度高，耗盡區不易在基區內擴展）；基區穿通電壓較高；當輸出功率大導熱差時，Ic-UCE特性常出現負阻效應。
4、套用領域
微波、毫米波放大和震盪移動通信化合物超高速數字電路低溫電路（Si/SiGe HBT），高溫電路（AlGaN/GaN HBT）超高增益放大電路（PET和MISTJET）
