PNP型三極體

PNP型三極體

PNP型三極體,由2塊P型半導體中間夾著1塊N型半導體所組成的三極體,稱為PNP型三極體。也可以描述成,電流從發射極E流入的三極體。PNP型三極體發射極電位最高,集電極電位最低,UBE

PNP型三極體簡介

由2塊P型半導體中間夾著1塊N型半導體所組成的三極體,稱為PNP型三極體.

也可以描述成,電流從發射極E流入的三極體.

PNP型三極體發射極電位最高,集電極電位最低,UBE<0.

PNP型三極體PNP型三極體

三極體按結構分,可分為NPN型三極體和PNP型三極體.

右圖PNP型三極體.

三極體導通時IE=(放大倍數+1)*IB和ICB沒有關係,ICB=0 ICB>0時,可能三極體就有問題,所以三極體在正常工作時,不管是工作在放大區還是飽和區ICB=0

當UBE>0.7V(矽)(鍺0.2V),RC/RB<放大倍數時,三極體工作在飽和區,反之就工作在放大區>

區別

PNP型三極體與NPN型三極體區別

2個PN結的方向不一致。

PNP是共陰極,即兩個PN結的N結相連做為基極,另兩個P結分別做集電極和發射極;電路圖裡標示為箭頭朝內的三極體。

NPN則相反

工作原理:

晶體三極體按材料分有兩種:鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式,但使用最多的是矽NPN和PNP兩種三極體,兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。

對於NPN管,它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成,發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。

當b點電位高於e點電位零點幾伏時,發射結處於正偏狀態,而C點電位高於b點電位幾伏時,集電結處於反偏狀態,集電極電源Ec要高於基極電源Ebo。

在製造三極體時,有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的,同時基區做得很薄,而且,要嚴格控制雜質含量,這樣,一旦接通電源後,由於發射結正偏,發射區的多數載流子(電子)極基區的多數載流子(空穴)很容易地越過發射結互相向對方擴散,但因前者的濃度基大於後者,所以通過發射結的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發射極電流Ie。

由於基區很薄,加上集電結的反偏,注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic,只剩下很少(1-10%)的電子在基區的空穴進行複合,被複合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給,從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得:

Ie=Ib+Ic

這就是說,在基極補充一個很小的Ib,就可以在集電極上得到一個較大的Ic,這就是所謂電流放大作用,Ic與Ib是維持一定的比例關係,即:

β1=Ic/Ib

式中:β1--稱為直流放大倍數,

集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為:

β= △Ic/△Ib

式中β--稱為 交流電流放大倍數,由於低頻時β1和β的數值相差不大,所以有時為了方便起見,對兩者不作嚴格區分,β值約為幾十至一百多。

三極體是一種電流放大器件,但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用,通過電阻轉變為電壓放大作用。

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