PCVD技術

PCVD技術指將電漿技術引人化學氣相沉積，形成覆蓋層的方法稱為電漿化學氣相沉積，簡稱PCVD。 PCVD技術利用低溫電漿可以促進化學反應，可使在比熱化學反應低的溫度下沉積薄膜，已早為人知。近年來，在半導體、電子產品、光學儀器等工業領域中，電漿化學氣相沉積技術的實用性已經引起重視，它的套用正在迅速發展。

電漿CVD中的薄膜生長機理尚未明了，其主要原因是：低溫電漿處於熱非平衡狀態，所用的反應氣體也是多原子、分子，反應系統複雜，基礎數據不足。在沉積薄膜的過程中，氣相反應和在基板表面的反應同等重要。反應氣體在電漿中主要是由於電子的轟擊引起激發、電離或解離，生成激發分子、原子、游離基或各種分子、原子的離子。一般認為，這些粒子主要以擴散的方式達到基板表面。但是，由於反應氣體的流動，電極和基板架的形狀、幾何尺寸及它們之間的距離等會影響粒子密度的分布。到達基板表面的粒子經過遷移、吸附反應直到生成薄膜。但也有在吸附過程中分子解離的。在殼層被加速的離子轟擊將對表面反應產生重要影響。