非易失性記憶體

非易失性記憶體（Nonvolatile RAM，NVRAM）是用來存儲路由器的啟動配置檔案。在路由器斷電時，其內容仍能保持。

基本信息

• 中文名：非易失性記憶體
• 英文名：non-volatile memory

• 稱作：非易失性存儲器
• 讀取延遲：50-100納秒左右
• 工作溫度：0-70攝氏度

基本簡介

非易失性存儲器（nonvolatilememory）是所有形式的固態（沒有可動部分）存儲器的一個一般的術語，它不用定期地刷新存儲器內容。這包括所有形式的唯讀存儲器（ROM），像是可編程唯讀存儲器（PROM）、可擦可程式唯讀存儲器（EPROM）、電可擦除唯讀存儲器（EEPROM）和快閃記憶體。它也包括電池供電的隨機存取儲存器（RAM）。

信息描述

非易失性記憶體

非易失性記憶體的一種，利用存儲單元的可逆的相變來存儲信息。可擦寫的CD/DVD一直在用這種技術。目前主流技術是採用硫族元素（元素周期表上“氧”那一列）做的合金，一般採用的是鍺、銻、碲合金（簡稱GST）。這種合金在常溫下有兩種狀態，一種是不規則、無序的，具有較高的電阻（非晶態）；另一種是高度有序的，具有較低的電阻（晶態）。通過電脈衝局部集中加熱的方式在這兩種之間切換。和RAM一樣，相變存儲器是按位讀寫的。相比於Flash技術，相變存儲器不需要單獨的擦除步驟。讀取延遲大約在50-100納秒左右，寫入延遲大約是幾毫秒。PCM對運行環境的溫度要求很敏感，一般工作在0-70攝氏度之間。

MRAM:magnetic random access memory，磁阻隨機存取記憶體。

STT-MRAM: spin-transfer-torque magnetic RAM。實驗室階段，尚無產品。

ReRAM(RRAM): Resistive random-access memory 可變電阻式存儲器。

ECC（error correcting circuits）：對於BCH編碼，從k位的數據中糾正t個錯誤，至少需要t * ceil (log2k) + 1個校驗位。ECC採用標準的Hamming碼再多加一位parity bit，於是可以檢測一位及兩位錯誤，並糾正一位錯誤。現在主要是採用64+8,即72位一組，其中64位是數據，8位是校驗。

ECC是為DRAM設計的，對於Flash、NVM等，應考慮其它的方案。至少在有一點上有根本的不同，DRAM的錯誤一般都是臨時性的，而FLASH、PCM等都是永久的。

fusionIO octal：MLC Nand，如果是純512B的單位，IOPS 大約1百萬左右。以64 kB的單元讀寫，讀的頻寬是6GB/s，寫入頻寬4.4GB/s。訪問延遲30微秒。容量5.12T。

PCM需要程式做一些改進：

1、寫之前先讀，只寫被修改的位

2、每行前面加一個標誌位。稱為翻轉位。假如為1，代表其它的位是0-1翻轉過的。

不讀寫時可以不用通電保持數據，解決計算機存儲和訪問速度問題。