雜質電離

簡介

電子-模型圖

雜質電離：與本徵激發相對應，常見於半導體/半導體物理中，是一種電子脫離雜質原子的束縛成為導電電子的過程。現以含有施主雜質的半導體為例進行簡單說明——在本徵激發可以忽略的溫度範圍內，部分施主原子替換掉本徵原子之後，因為施主原子的價電子數多於本徵原子，所以會形成一個正電中心（雜質離子）和一個或幾個多於價電子的結構，這些多餘的價電子就束縛在正電中心周圍，但是這種束縛作用比共價鍵的束縛作用要弱得多，只要很少的能量就可以使它掙脫束縛成為導電電子在晶格中自由運動，這時雜質原子就成為少了一個或幾個價電子的雜質離子，它是一個不能移動的正電中心。上述電子脫離雜質原子的束縛成為導電電子的過程即稱為雜質電離。