成相膜理論
成相膜理論又稱為薄膜理論。它認為當鈍化金屬陽極溶解時,可在金屬表面上生成一層非常薄的、緻密的、覆蓋性良好的同體產物薄膜,這層薄膜作為一個獨立相存在,把金屬表面與介質隔離開,阻礙陽極過程進行,使金屬的溶解速度大大降低,使金屬處於鈍態。保護膜通常是金屬的氧化物,在某些金屬上可直接觀察到膜的存在,並可測定其厚度和組成 。
吸附理論
吸附理論認為,金屬鈍化是由於金屬表面生成氧或含氧離子的吸附層,改變了金屬/溶液界面的結構,並使陽極反應的活化能顯著提高而發生鈍化。與成相膜理論不同,吸附理論認為金屬鈍化是由於金屬表面本身反應能力降低了,而不是由於膜的隔離作用。
吸附理論的主要實驗依據是測量界面電容的結果。測量界面電容是揭示界面上是否存在成相膜的有效方法。若界面上生成了很薄的膜,其界面電容要比自由表面上雙電層電容的數值小得多 。
