記憶體計時

記憶體計時是測試記憶體條時產生的數據，例：5-5-6-15 這四個數據解釋見下，總的說來是越小越好!

CAS# Latency：行地址控制器延遲時間，簡稱CL。表示從已經定址的行，到達輸出快取器的數據所需要的時鐘循環數。對記憶體來說，這是最重要的一個參數，這個值越小，系統讀取記憶體數據的速度就越快，反之越慢。

RAS# to CAS#：列地址至行地址的延遲時間，簡稱RCD，表示在已經決定的列地址和已經送出行地址之間的時鐘循環數，以時鐘周期數為單位，該值越小越好。

RAS# Precharge：列地址控制器預充電時間，簡稱tRP，表示對迴路預充電所需要的時鐘循環數，以決定列地址。同樣以時鐘周期數為單位，也是越小越好。

TRas#：列動態時間，也稱tRAS，表示一個記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址時所造成的延遲，以時鐘周期數為單位，通常是最後也是最大的一個數字。