禁止電路

即,在高電位電源VDD的電壓值充分高時,寫入請求信號WR直接作為寫入控制信號輸出。 即,在電源電壓降低了時,由於不能夠進行基於寫入請求信號WR的寫入,因此能夠防止誤寫入。 一種寫入禁止電路,該寫入禁止電路把數據寫入請求信號作為輸入,通過輸出的寫入控制信號禁止上述數據的寫入,其特徵在於:

寫入禁止電路,使用了該電路的半導體積體電路,具有該半導體積體電路的墨水匣以及噴墨記:
在把數據寫入請求信號WR作為輸入,根據輸出的寫入控制信號WRITE禁止數據寫入的寫入禁止電路中,抑制晶片面積的同時減小動作電流。在電流鏡電路CM中,通過把基準電流Iref與在N電晶體T3的源-漏間流過的電流ID進行比較,能夠檢測高電位電源VDD中的電壓值。即,在高電位電源VDD的電壓值充分高時,寫入請求信號WR直接作為寫入控制信號輸出。另一方面,如果高電位電源VDD的電壓值由於某種原因下降,則通過作為基準電壓源的電晶體T6和緩衝門B2,與寫入請求信號WR是“H”還是“L”無關,寫入控制信號都成為“L”。即,在電源電壓降低了時,由於不能夠進行基於寫入請求信號WR的寫入,因此能夠防止誤寫入。
權利要求 一種寫入禁止電路,該寫入禁止電路把數據寫入請求信號作為輸入,通過輸出的寫入控制信號禁止上述數據的寫入,其特徵在於: 包括電流鏡電路,該電流鏡電路由包括成為基準電流源的耗盡型電晶體的多個電晶體在高電位電源與低電位電源之間串聯連線構成的第1電晶體列與多個電晶體串聯連線在上述高電位電源與上述低電位電源之間,並且流過對應於上述數據寫入請求信號的電流的第2電晶體列並

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