碳化矽晶體生長與缺陷

內容介紹

《碳化矽晶體生長與缺陷》系統地介紹了物理氣相輸運（PVT）法碳化矽晶體生長與缺陷研究方面的工作，由碳化矽晶體的多型結構與表征、碳化矽晶體的PVT法生長、氣相組分Simcn和碳化矽晶體的生長機制、碳化矽晶體的結晶缺陷四部分組成。《碳化矽晶體生長與缺陷》從碳化矽晶體結構出發，把氣相組分作為貫穿生長原料分解升華、系統中的質量∕能量輸運、生長界面的結晶過程、晶體中缺陷的繁衍與發育等的一條主線，從而使讀者對PVT法碳化矽晶體生長的複雜系統和過程有一個全面的、深入的認識和理解。