王金斌

王金斌,男,1972年9月生,博士,教授,博士生導師,湖南省傑出青年基金獲得者,教育部“新世紀優秀人才支持計畫”獲得者,國家實驗教學示範中心“材料科學與工程”實驗教學中心常務副主任,中國材料研究學會青委會理事,中國力學學會青委會理事。

基本信息

個人簡介

湖南省傑出青年基金獲得者,教育部“新世紀優秀人才支持計畫”獲得者,國家實驗教學示範中心“材料科學與工程”實驗教學中心常務副主任,中國材料研究學會青委會理事,中國力學學會青委會理事。2005年3月在中國科學院上海技術物理研究所獲得微電子學與固體電子學專業博士學位,2006年5月至2007年5月在日本國立材料科學研究所先進電子材料中心(Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science, Japan)從事訪問研究。 在Appl. Phys. Lett., Acta Mater., Small等國內外重要刊物發表論文60餘篇,被SCI 收錄47篇(其中影響因子4.0 以上的10篇,影響因子在 2.0~4.0 之間的13 篇),Ei 收錄46篇。至2009年5月,有39篇文章被發表在SCI 收錄刊物上的文章引用427次,其中他引336次,單篇文章他引最高次數為39 次。申請並受理國家發明專利五項,其中兩項已經授權。多次被Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Mater. Sci.: Materials in Electronics, Appl. Surf. Sci.等國際刊物邀請審稿或約稿。多次參加在澳大利亞、日本、香港、北京、重慶和武漢舉行的國際學術交流活動,並做分會主席和邀請報告。

學習工作經歷

學習經歷:

1992年-1996年,湘潭大學材料與光電物理學院獲得學士學位;

1998年-2000年,湘潭大學材料與光電物理學院獲得碩士學位;

2002年-2005年,中國科學院上海技術物理所獲得博士學位;

2006年-2007年,日本國家材料研究所訪問學者;

工作經歷:

1996年~,湘潭大學材料與光電物理學院工作。

主講課程

研究生課程:

半導體器件物理

光電子材料與器件

微電子材料與器件

微電子學與固體電子學前沿講座

薄膜物理

本科生課程:

半導體物理

數字電路基礎

半導體材料

固體物理導論

研究方向

半導體材料與器件

大面積鐵電薄膜

新型非揮發存儲器

獲獎情況

2000年獲湖南省自然科學優秀論文一等獎

2000年獲湖南省自然科學優秀論文二等獎

2000年獲湘潭大學研究生校長獎特等獎

2002年獲湖南省優秀碩士論文獎

2004年獲湖南省自然科學優秀論文一等獎

2006年指導的研究生黃貴軍獲湖南省優秀研究生獎

2007年指導的研究生黃貴軍獲湘潭大學研究生校長獎優秀獎

科研項目

1.國家自然科學基金,電場非揮發性調製高溫稀磁半導體/鐵電體異質結構中的磁化行為研究,經費:20萬元,主持(編號:50702048)2008.01-2010.12

2.湖南省傑出青年基金,非揮發性電晶體用稀磁半導體/鐵電體異質結的製備及磁化調製研究, 經費:60萬元,主持(編號:09JJ1006), 2009.01-2012.12

3.教育部“新世紀優秀人才支持計畫”項目, 大面積無鉛鐵電薄膜的製備及其套用研究, 經費:50萬元,主持(編號:NCET-08-0687), 2009.01-2011.12

4.國家自然科學基金重點項目,納電子材料及器件的力、電、熱耦合破壞理論和實驗研究,經費:200萬元,與中山大學合作,(編號:10732100)2008.01-2011.12

5.國家自然科學基金,脈衝雷射誘導液-固界面反應製備亞穩態納米晶,經費:18萬元,排名第四(主研)(編號:50072022)2001.01-2003.12

6.教育部博士點新教師基金項目,稀磁半導體/鐵電體異質結生長及鐵磁性的電場調製研究,經費:3.6萬元,主持(編號:20070530010)2008.01-2010.12

7.湖南省自然科學基金,無鉛鐵電薄膜的製備及其在微電子學中的套用,經費:4萬元,主持(編號:05JJ30126)2005.01-2006.12

8.湖南省教育廳青年項目,BLT和BNT薄膜的製備及相關物理性能,經費:4萬元,主持(編號:04B061)2005.01-2006.12

9.湘潭大學交叉學科項目,ZnO稀磁半導體薄膜的製備及鐵磁、光電性能研究,經費:3萬元,主持(編號:05IND10)2006.01-2008.12

社會兼職

中國材料研究學會青委會理事

中國力學學會青委會理事

主要代表性論文

2008年:

[1] H. L. Yan, J. B. Wang*, X. L.zhong, Y. C. Zhou, Spatial distribution of manganese and room temperature ferromagnetism in manganese-doped ZnO nanorods, Appl. Phys. Lett. 93, 142502 (2008)

[2] Y. J. Zhang, J. B. Wang*, X.L. Zhong, Y.C. Zhou, X.L. Yuan, T. Sekiguchi, Influence of Li-dopants on the luminescent and ferroelectric properties of ZnO thin films, Solid State Commun. 148, 448(2008)

[3] X. L. Zhong, J. B. Wang*, M. Liao, C. B. Tan, H. B. Shu, Y. C. Zhou, Effect of Mn doping on the microstructures and dielectric properties of Bi3.15Nd0.85Ti3O12 thin films, Thin Solid Films 516, 8240 (2008)

[4] M. Liao, X. L. Zhong, J. B. Wang, Y. C. Zhou, H. Liao, Effects of CoFe2O4 content on the properties of nanoparticulate Bi3.15Nd0.85Ti3O12-CoFe2O4 thin films, Scripta Mater. 58, 715 (2008)

[5] X. L. Zhong, M. Liao, J. B. Wang*, S. H. Xie, and Y. C. Zhou, Structural, ferroelectric, ferromagnetic, and magnetoelectric properties of the lead-free Bi3.15Nd0.85Ti3O12/CoFe2O4 double-layered thin film, J. Cryst. Growth 310, 2995 (2008)

[6] X. L. Zhong, B. Li, J. B. Wang*, M. Liao, H. Liao, Y. C. Zhou, Ferroelectric properties of Mn-doped Bi3.15Nd0.85Ti3O12 thin films prepared under different annealing conditions, Mater. Lett. 62, 2891 (2008)

[7] X. L. Zhong, Z. S. Hu, J. B. Wang*, B. Li, H. Liao, Y. C. Zhou, Microstructures and electrical properties ofND3+/V5+-cosubstituted Bi4Ti3O12 thin films, J. Cryst. Growth 310, 4516 (2008)

[8] G. C. Zhou, L. Z. Sun, J. B. Wang*, X.L. Zhong and Y.C. Zhou, Evolution of the Bonding mechanism of ZnO underisotropiccompression: A First-principles study, Physica B: Condensed Matter 403, 2832 (2008)

[9] Z. S. Hu, M. H. Tang, J. B. Wang*, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, Effect of extrapolation length on the phase transformation of epitaxial ferroelectric thin films, Physica B: Condensed Matter 403, 3700 (2008)

[10] X. J. Zheng, L. He, M. H. Tang, Y. Ma, J. B. Wang, Q. M. Wang, Enhancement of fatigueenduranceand retention characteristic in Bi3.25Eu0.75Ti3O12 thin films, Mater. Lett. 62, 2876 (2008)

[11]閆海龍,鍾向麗,王金斌*,黃貴軍,丁書龍,周功程,生長溫度對Mn 摻雜ZnO 納米棒鐵磁性的影響,光電子·雷射 19, 58 (2008)

2007年:

[12] J. B. Wang, Z. F. Li, P. P. Chen, W. Lu and T. Yao, Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Acta Mater. 55, 183 (2007).

[13] X. L. Zhong, J. B. Wang*, L. Z. Sun, C. B. Tan, X. J. Zheng, Y. C. Zhou, Improved ferroelectric properties of bismuth titanate films by Nd and Mn consubstitution, Appl. Phys. Lett. 90, 012906 (2007).

[14] H. L. Yan, X. L. Zhong, J. B. Wang*, G. J. Huang, S. L. Ding, G. C. Zhou and Y. C. Zhou, Cathodoluminescence and room temperature ferromagnetism of Mn-doped ZnO nanorod arrays grown by chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett. 90, 082503 (2007).

[15] Q. Huang, Y. Bando, A. Sandanayaka, C.H. Tang, J. B. Wang, T. Sekiguchi, C. Y. Zhi, D. Golberg, Y. Araki, O. Ito, L. Gao, Photoinduced Charge Injection and Bandgap-Engineering of High-Specific-Surface-Area BN Nanotubes using a Zinc Phthalocyanine Monolayer, Small 3, 1330 (2007).

[16] L. Z. Sun, Xiaoshuang Chen, Jijun Zhao, J. B. Wang, Y. C. Zhou, and Wei Lu, Electronic properties and chemical trends of the arsenic in situ impurities in Hg1−xCdxTe: First-principles study, Phys. Rev. B 76, 045219 (2007)

[17] X. L. Zhong, J. B. Wang*, M. Liao, G. J. Huang, S. H. Xie, Y. C. Zhou, Y. Qiao, J. P. He, Multiferroic Bi3.15Nd0.85Ti3O12-CoFe2O4 composite thin films prepared by a chemical solution deposition technique, Appl. Phys. Lett. 90, 152903 (2007).

[18] X. L. Zhong, J. B. Wang*, M. Liao, L. Z. Sun , H. B. Shu , C. B. Tan , Y. Zhou, Ferroelectric and dielectric properties of Nd3+/Zr4+ cosubstituted Bi4Ti3O12 thin films, Appl. Phys. Lett. 90, 102906 (2007).

[19] G. J. Huang, J. B. Wang*, X. L. Zhong, G. C. Zhou, H. L. Yan, Synthesis, structure, and room-temperature ferromagnetism of Ni-doped ZnO nanoparticles, J. Mater. Sci. 42, 6464 (2007).

[20]黃貴軍, 王金斌*, 鍾向麗, 周功程, 高TC錳摻雜氧化鋅稀磁半導體納米晶的溶膠-凝膠法製備, 光電子·雷射 18, 597 (2007).

[21] G. J. Huang, J. B. Wang*, X. L. Zhong, G. C. Zhou, H. L. Yan, Above room temperature ferromagnetism of Mn-doped ZnO nanoparticles prepared by sol-gel process, Optoelectronic Letters 2, 0439 (2006).

[22] M. Liao, X. L. Zhong, J. B. Wang, H. L. Yan, J. P. He, Y. Qiao, Y. C. Zhou, Nd-substituted bismuth titanate ferroelectric nanofibers by electrospinning, J. Cryst. Growth 304, 69 (2007)

[23] G. C. Zhou, L. Z. Sun, X. L. Zhong, X. S. Chen, W. Lu, J. B.Wang*, First-principles study on the bonding mechanism of ZnO: based on the LDA+U method, Phys. Lett. A 368, 112 (2007).

[24] H. B. Shu, G. C. Zhou, X. L. Zhong, L. Z. Sun, J. B. Wang, X. S. Chen, and Y.C. Zhou, Effects of lattice strain and ions displacement on the bonding mechanism of ferroelectric perovskite material BaTiO3: First-principles study, J. Phys.: Condens. Matter. 19, 276213 (2007)

[25] D. Shuang, J. B. Wang, X. L. Zhong and H. L. Yan, Raman scattering and cathodoluminescence properties of flower-like manganese doped ZnO nanorods, Materials Science in Semiconductor Processing, 10, 97 (2007)

[26]譚叢兵,鍾向麗,王金斌,廖敏,周益春,潘偉,Nd摻雜對Bi4Ti3O12鐵電薄膜的微結構和鐵電性能的影響,物理學報,56, 6084 (2007)

2006年:

[27] J. B. Wang, G. J. Huang, X. L. Zhong, L. Z. Sun, Y. C. Zhou, E. H. Liu, Raman scattering and high temperature ferromagnetism of Mn-doped ZnO nanoparticles, Appl. Phys. Lett. 88, 252502 (2006).

[28] J. B. Wang, H. M. Zhong, Z. F. Li, and Wei Lu, Raman Study for N+ implanted ZnO, Appl. Phys. Lett. 88, 101913 (2006).

[29] H. M Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, Z. F Li, W. L. Xu, and W. Lu, Effect of Mn+ ion implantation on the Raman spectra of ZnO, J. Appl. Phys. 99, 103905 (2006).

[30] H. M. Zhong, J. B. Wang, M. Pan, S. W. Wang, Z. F. Li, W. L. Xu, X. S. Chen and W. Lu, Preparation and photoluminescence of ZnO nanorods, Mater. Chem. Phys. 97, 390 (2006).

[31] X. L. Zhong, J. B. Wang, S. X. Yang and Y. C. Zhou, Dependence of excess bismuth content in precursor sols on ferroelectric and dielectric properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films fabricated by chemical solution deposition, Appl. Surf. Sci. 253, 417 (2006).

[32] L. Z. Sun, X. L. Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, W. Lu, Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT: first-principles study, Trans. Nonferrous Met. Soc. China 16, 907 (2006).

[33]鍾紅梅,陳效雙,王金斌,夏長生,王少偉,李志鋒,徐文蘭,陸衛, 基於離子注入技術的ZnMnO半導體材料的製備及光譜表征, 物理學報, 55, 2073 (2006)

2005年:

[34] J. B. Wang, H. M. Zhong, Z. F. Li, and W. Lu, Raman Study for E2 Phonon of ZnO in Zn1−xMnxO Nanoparticles, J. Appl. Phys. 97, 086105 (2005).

[35] X. L. Zhong, J. B. Wang, Y. C. Zhou, J. J. Liu, X. J. Zheng, Electrical properties of Nd-substituted Bi4Ti3O12 thin films fabricated by chemical solution deposition, J. Cryst. Growth 277, 233 (2005).

2004年:

[36] J. B. Wang, Z. F. Li, W. Lu, D. J. Chen, B. Shen, and Y. D. Zheng, Infrared reflectance of GaN1− xPx ternary alloys grown by metalorganic chemical vapor deposition,J. Vac. Sci. Technol. A 22(5), 1956 (2004).

[37] X. L. Zhong, J. B. Wang, X. J. Zheng, Y. C. Zhou,G. W. Yang, Structure evolution and ferroelectric and dielectric properties of Bi3.5Nd0.5Ti3O12 thin films under a moderate temperature annealing,Appl. Phys. Lett. 85 (23) 5661 (2004).

[38] J. Chen, W.Z. Shen, J. B. Wang, H. Ogawa, Q. X. Guo, Micro-Raman study of hexagonal InN thin films grown by reactive sputtering on GaAs, J. Cryst. Growth 262, 435 (2004).

[39] X. F. Liu, J. R. Xiao, X. Z. Jian, J. B. Wang, J. D. Gao, a-C∶F∶H films prepared by PECVD, Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 14(3), 426 (2004).

2003年:

[40] J. B. Wang, G. W. Yang, C. Y. Zhang, X. L. Zhong and Zh. A. Ren, Cubic-BN nanocrystals synthesis by pulsed laser induced liquid

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