通常，OOB波長在150~400nm，其中DUV占EUV光強的比例約1%到30%。EUV光刻膠對EUV和OOB都敏感，因為EUV光刻膠是在193nm和248nm光刻膠的基礎上研發的 。
OOB可造成EUV光刻膠曝光，影響EUV曝光的解析度，導致工藝視窗縮小。以ASML NXE：3300B為模型，仿真計算了22nm 1:1密集線條的工藝視窗和線條均勻性隨波段外輻射中DUV成分的變化，結果如圖1所示。EUV光源中DUV波段的成分增大3.6%，導致線寬對曝光劑量的容忍度（Exposure Latitude，EL）減少1%左右，而曝光區域內部的線寬不均勻性（CDU）會升高0.1nm 。
波段外輻射圖1 EUV波段外輻射中DUV成分對EUV光刻工藝視窗和線寬均勻性影響的仿真結果
目前主要有三個辦法來解決OOB對曝光的影響；第一個辦法是在EUV光刻機的光學系統中添加譜線過濾器。這個譜線過濾器可以是Zr/Si的多層膜，它可以使DUV成分下降1000倍。但是，譜線過濾器也會導致EUV光子的損失，降低EUV光源的輸出功率。第二個辦法是在EUV膠面上添加一個頂蓋圖層來吸收OOB，也可以研發對DUV不夠敏感的EUV膠。第三個辦法是改進掩模，把邊緣的Mo/Si多層材料完全刻蝕掉，使之不反射DUV光，變成黑色的邊界，如圖2所示（P506，圖11.16） 。
波段外輻射圖2 把掩模邊緣的Mo/Si多層材料完全刻蝕掉，使之不反射DUV光，變成黑色的邊界
