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半導體異質結構與納米結構表征
9第1章 第2章 第12章
圖書信息 內容簡介 目錄 -
南京大學微電子設計研究所
電子器件的異質結構，量子阱材料，設計、研製Ⅲ族氮化物高溫、高功率微波器件...活力的研究方向：1. 半導體光電子科學與技術；2. 半導體異質結構電子學...了我國鍺矽電子學研究領域。創新提出並研製出Ⅲ族氮化物壓電調製場效應電晶體...
研究領域 重點學科 學科方向 合作交流 招生要求 -
晶體材料國家重點實驗室
基本簡介 晶體材料國家重點實驗室 晶體材料國家重點實驗室是中國首批建設的重點實驗室之一，1984年獲準在山東大學晶體材料研究所的...
基本簡介 科研團隊 研究領域 研究成果 開放課題 -
李書平[廈門大學物理系教授]
自然科學基金項目：Ⅲ族氮化物異質界面的缺陷（2004.1-2006.12）主持福建省自然科學基金：Ⅲ族氮化物異質界面模擬及實驗研究...發光二極體晶片出光的蒙特卡羅方法模擬，廈門大學學報（自然科學版）48...
簡介 研究方向 主要科研項目 發表論文 授權專利 -
李書平[廈門大學副教授]
（2004.07-2007.06）。參與國家自然科學基金項目：Ⅲ族氮化物異質界面的缺陷（2004.1-2006.12）。主持福建省自然科學基金：Ⅲ族氮化物異質界面模擬...） 。不同結構參數氮化鎵基發光二極體晶片出光的蒙特卡羅方法模擬，廈門大學...
人物經歷 研究方向 主要貢獻 獲獎記錄 -
RFIC
21世紀以來，Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體，如GaN、AIN、InN等，受到了人們...的材料，它的出現使得人們可以將在化合物半導體異質結器件中廣泛運用的能帶工程...。SiGeHBT主要得益於SiGe/Si異質結價帶邊的失配，器件的電流增益與SiGe...
技術基礎 發展 變革 新技術 MEMS -
袁國棟[中國科學院半導體研究所研究員]
感測器件的尖峰回響，結合矽/電解質異質結表/界面能帶理論及氫分子-氧分子...結構矽材料表/界面特性及高靈敏分子感測機制研究方面，發現了H鈍化本徵矽納..., 18，3251，2008）；結合實驗及第一原理計算理論模擬論證了H 鈍化矽...
中國科學院半導體研究所研究員 清代著名畫家
