寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室

寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室

寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室依託西安電子科技大學,是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,2007年國家批准建設的國家級重點實驗室,2008年實驗室成為我國國防科技創新團隊,是中國寬頻隙半導體材料與器件研究的主要基地。

發展歷程

莊奕琪院長 莊奕琪院長

寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,2007年國家批准建設的重點實驗室。實驗室重點開展寬頻隙(寬禁帶)半導體材料與器件的套用基礎研究。實驗室是西安電子科技大學國家積體電路人才培養基地、微電子學與固體電子學國家重點學科和211”工程 重點建設學科的重要支撐。

條件

學術委員會

郝躍教授接受國家科學技術獎勵大會表彰 郝躍教授接受國家科學技術獎勵大會表彰

學術委員會的主要職責:審議實驗室的研究方向、學術上的重大問題,推薦優秀學術成就、科研課題、研究成果。

學術委員會名單如下:

姓名 職稱 工作單位
郝躍 院士 西安電子科技大學
夏建白 院士 中國科學院半導體研究所
沈緒榜 院士 航天771所
張興 教授 北京大學
王燕 教授 清華大學
汪宏 教授 西安交通大學
崔鐵軍 教授 東南大學
蔡樹軍 研究員 中國電子科技集團第13所
陳效建 研究員 中國電子科技集團第55所
劉新宇 研究員 中國科學院微電子研究所
陳志明 教授 西安理工大學
陳長清 教授 華中科技大學
楊銀堂 教授 西安電子科技大學
莊奕琪 教授 西安電子科技大學
張玉明 教授 西安電子科技大學

科研團隊

實驗室科研團隊會議照片 實驗室科研團隊會議照片

據該實驗室網站資料顯示,該重點實驗室有一支基礎素質高、知識面寬,充滿朝氣、年輕有為的科研隊伍。其中教授26人,副教授18人,講師31人,助教20人;大於50歲的人員有12人,小於30歲的人員有37人;35人具有博士學位,44人具有碩士學位。

科研設備

該實驗室擁有從寬禁帶材料製造設備、材料製造工藝到微波功率器件、高亮度LED器件管芯製造工藝,微波功率模組、微納米器件可靠性以及VLSI電路設計等若干項自主關鍵技術,具有明顯特色。

GaN/SiC材料生長設備 GaN/SiC材料生長設備

據該實驗室網站資料介紹,該實驗室擁有一套完整的寬禁帶材料生長和器件研製的工藝設備和環境,400平方米以上面積的超淨實驗室環境3套和完整的測試分析設備。1000級微電子超淨工藝實驗室超淨間,連同材料生長、器件製作和相關表征設備,形成了一條完整的化合物半導體材料和器件工藝線。

實驗室支撐

微電子學與固體電子學國家重點學科

國家“211”工程重點建設學科

國家積體電路人才培養基地

陝西省大功率半導體照明工程研究中心

西安航天-西電新型半導體器件研發中心

科學研究

介紹

實驗室從20世紀90年代開始寬禁帶半導體科學研究和人才培養,已成為國內外寬禁帶半導體材料和器件的科學研究、人才培養、學術交流、成果轉化方面的重要基地,2008年實驗室成為中國國防科技創新團隊。

實驗室設備 實驗室設備

實驗室重視研究成果與套用的結合,多項研究成果已經用於國家和國防重點工程。高質量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企業和研究所使用;微波功率器件已經開始用於國家重點工程;GaN的LED成果已經成為陝西省半導體照明的核心技術,產生著輻射和帶動作用;自主的MOCVD設備和核心技術開始實現產業化;微納米器件可靠性技術對推動我國高可靠積體電路發展發揮了重要作用。

研究方向

以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)和氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體是繼矽和砷化鎵(GaAs)之後的第三代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點,可實現高壓、高溫、高頻、大功率、抗輻射微波毫米波器件和短波長光電半導體器件。寬禁帶半導體是新一代雷達、通信、電子對抗系統最關鍵的半導體器件,也是新一代半導體照明關鍵的器件。

實驗室主要研究方向包括:GaN和SiC寬禁帶半導體微波毫米波器件;GaN半導體光電子器件與半導體照明技術;寬禁帶半導體材料生長核心設備研究;寬禁帶半導體材料和器件新機理、新結構與新技術;微納米半導體器件可靠性與SoC設計。

承擔項目

“極大規模積體電路製造裝備與成套工藝”重大科技專項

國家(國防)重大基礎研究(973)項目

國家自然科學基金重點和面上項目

國家863計畫高技術項目

國防科技預先研究項目

軍用電子元器件型譜項目

中俄航天領域科技合作項目

國家電子發展基金和陝西省電子發展基金

成果獎勵

科研成果

GaN異質材料與器件相關基礎研究 寬禁帶半導體器件抗輻照特性研究
寬禁帶半導體器件可靠性研究 寬禁帶半導體專用設備研製
寬禁帶半導體套用與產業化 微納米半導體器件可靠性
微納米積體電路SoC設計 GaN基電子材料基礎研究
MOS器件的熱載流子效應 薄柵氧化層的經時擊穿
NBTI和CHC效應的分解 MOS器件的NBTI 效應
非極性GaN材料研究

科研獲獎

實驗室獲得的部分科研獎項:

2009年國家技術發明獎二等獎 1998年國家科技進步三等獎
2008年國家科技進步二等獎 1987年電子工業部科技進步一等獎
2005年陝西省科學技術一等獎 2007年中國高等學校科學技術一等獎
2006年國防科學技術二等獎 2001年國防科學技術二等獎
1999年信息產業部科技進步二等獎 1989年機電部科技進步二等獎
2006年國防科學技術二等獎 2006年國防科學技術二等獎
2007年陝西省科學技術二等獎 2007年中國高等學校科學技術二等獎
2008年國防科學技術二等獎 2009年國防科學技術獎一等獎
2011年陝西省科學技術一等獎

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