相關詞條
-
功率半導體器件基礎
功率u-mosfet結構的電容 輸出電阻：對稱結構 輸出電阻：非對稱結構
基本信息 內容簡介 目錄 -
全控型器件
全控型器件又稱為自關斷器件，是指通過控制信號既可以控制其導通，又可以控制其關斷的電力電子器件。這類器件很多，門極可關斷晶閘管，電力場效應電晶體，絕緣柵雙...
簡介 門極可關斷晶閘管（GTO) 場效應管 絕緣柵雙極電晶體（IGBT） 總結 -
電晶體[半導體器件]
電晶體（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
光無源器件
光無源器件是光纖通信設備的重要組成部分，也是其它光纖套用領域不可缺少的元器件。具有高回波損耗、低插入損耗、高可靠性、穩定性、機械耐磨性和抗腐蝕性、易於操...
簡介 品種 方法 結論 原理 -
長波長垂直腔型面發射雷射器
用於長距離光纖通信的長波長 (1. 31μm和 1. 55μm )VCSEL仍然處於研製階段, 雖然也有其相應器件 ,但其技術還不夠成熟,其廣泛套用還有...
1 VCSEL的基本結構 2 VCSEL的特點及套用範圍 -
功率MOS場效應電晶體
功率MOS場效應電晶體，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Ef...
分類 種類 結構 工作原理 基本特性 -
無源器件
無源器件是微波射頻器件中重要的一類，在微波技術中占有非常重要的地位。無源器件主要包括電阻，電容，電感，轉換器，漸變器，匹配網路，諧振器，濾波器，混頻器和開關等。
器件種類 主要設備 發展方向 相關區別 -
功率場效應電晶體
功率場效應電晶體（VF）又稱VMOS場效應管。在實際套用中，它有著比電晶體和MOS場效應管更好的特性。
優點 特性 詳解 -
霍爾器件
利用霍爾效應的固態電子器件。E.H.霍爾於1879年發現：一塊矩形導體或半導體材料在磁感應強度為Bz的磁場中，在垂直於磁場的方向有電流Ix通過試件（圖1...
概述 電動勢 霍爾器件 製造 霍爾效應 -
微波鐵氧體器件
利用鐵氧體材料（見磁性材料）的旋磁效應製成的微波器件。
簡介 材料 分類 參考書目
