國家存儲器基地

國家存儲器基地

國家存儲器基地位於武漢光谷,2016年3月28日正式開工建設。基地建設包括晶片製造、產業鏈配套等,在5年內投資240億美元(約1600億人民幣),到2020年形成月產30萬片的生產規模。存儲器晶片市場是全球壟斷最為嚴重的晶片細分市場,DRAM和NANDFLASH晶片市場長期被韓國美日壟斷,尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首,共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國於2013年發布了自主研發的55納米相變存儲晶片,成為繼美國和韓國後,全球第三個掌握相變存儲技術的國家。將打造萬億級的晶片—顯示—智慧型終端全產業鏈生態體系,使武漢光谷成為國內乃至全球最密集的電子信息產業基地。

基本信息

項目簡介

啟動儀式啟動儀式
2016年3月28日,總投資240億美元(約1600億元人民幣)的國家存儲器基地項目在武漢光谷正式啟動。

這是國家發展積體電路產業的重大戰略部署。出席啟動儀式的中科院微電子研究所所長葉甜春介紹,存儲器是信息系統的基礎核心晶片,2015年7月,發展存儲器晶片正式被確定為國家戰略。2016年2月23日,國務院批覆同意國家存儲器基地落戶湖北武漢。這一世界級存儲器基地,將為我國打破主流存儲器領域空白,實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。

2017年1月1日,總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區正式開工。

產能規模

國家存儲器基地占地約2300畝,在5年內投資240億美元,預計到2020年形成月產能30萬片的生產規模,到2030年建成每月100萬片的產能。

這一存儲器基地項目以晶片製造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體,集合已經在光谷地區形成規模的顯示產業(天馬、華星光電)、智慧型終端產業(華為、聯想、富士康),將打造萬億級的晶片—顯示—智慧型終端全產業鏈生態體系,使武漢光谷成為國內乃至全球最密集的電子信息產業基地。

實施保證

為保證國家存儲器基地項目順利實施,國家積體電路產業投資基金股份有限公司等出資作為股東,將在武漢新芯積體電路製造有限公司的基礎上組建一家存儲器公司,作為存儲器基地項目實施主體公司。

建設意義

晶片國產化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一,作為信息技術的基礎產業,半導體積體電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是積體電路產業的基礎產品之一,產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著,國家存儲器基地的建立,標誌著晶片國產化之路邁出可靠而重要的一步。

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