![電子-模型圖](/img/a/4e2/nBnauM3X4YzM1MzNwcTO1QTM0MTM2MDO0YTMxADMwAzMxAzL3kzL3QzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLyE2LvoDc0RHa.jpg)
一個能級被電子占據時呈中性,不被電子占據時帶正電,則被稱為施主能級。
半導體摻施主或受主雜質時會在禁帶內引入雜質能級。
施主雜質引入施主能級,受主雜質引入受主能級。
施主能級重要分布於高於費米能級的能帶,受主能級重要分布於低於費米能級的能帶。
被受主質束縛的空穴的能量狀態成為受主能級
受主能級--屬於一種電學現象,一個能級不被電子占據時呈中性,被電子占據時帶負電,則被稱為“受主能級”。
能級交錯是指電子層數較大的某些軌道的能量反低於電子層數較小的某些軌道能量的現象。
舉例 規律總結 鑽穿效應 近似能級圖深能級雜質屬於半導體物理學範疇。深能級雜質指雜質電離能大,施主能級遠離導帶底,受主能級遠離價帶頂。
簡介 Ge和Si中的的深能級雜質 GaAs中的深能級雜質 GaP中的深能級雜質費米能級就一個由費米子組成的微觀體系而言,每個費米子都處在各自的量子能態上。費米能級在半導體物理中是個很重要的物理參數,只要知道了它的數值,在一定溫度下...
簡介 含義 溫度摻雜表面能級,是晶體內部原有的三維周期性在表面處中斷而形成的電子能級。又稱表面態。研究表面能級的主要實驗手段有光電子能譜、離子中和譜等(見表面分析技術)。
簡介 相關內容的施主、受主雜質;它們在半導體中形成的能級都比較靠近價帶頂或導帶底,因此稱...-0.006eV) 的淺施主能級, 當取代As時都產生受主能級 (Ge的為...(Ev+0.07eV)的受主能級。一般, Si 、Ge、Sn常用作為GaAs...
半導體材料中的雜質使嚴格的周期性勢場受到破壞,從而有可能產生能量在帶隙中的局域化電子態,稱為雜質能級。 對於雜質和主晶格原子價電子相差1的施(受)主雜質...
半導體物理釋義 半導體物理中的套用施主能級,是指一個能級被電子占據時呈中性,不被電子占據時帶正電,則被稱為施主能級。
=1,2,3……式中的n …(2)氫原子的能級當電子在第n =1時,第一條軌道的能級為E1