介質層時變擊穿

時變擊穿,Time-Depen Dielectric Breakdown

時變擊穿,Time-Dependent Dielectric Breakdown(TDDB)
即是與時間有關的一種電介質的擊穿現象。
對於微電子技術中採用的氧化層而言,時變擊穿是薄氧化層所具有的一種電擊穿特性;這種擊穿與陷阱俘獲穿越氧化層的電荷、並引起氧化層的損傷有關;這種時變擊穿可用達到擊穿的時間——氧化層壽命來表征。

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