《相變存儲器》，作者宋志棠，由科學出版社於2010年2月1日出版，本書圍繞PCRAM研發所涉及的基礎科學與關鍵技術問題，對PCRAM的基本原理、PCRAM所用的材料體系、新型相變材料的理論與方法、PCRAM的關鍵單項工藝與集成工藝、器件單元結構改進、PCRAM所涉及的器件結構與晶片模擬、測試、晶片設計與製造等方面進行了較為詳細的階段性工作總結。
相變存儲器相變存儲器（phase change memory），縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM，是利用特殊材料在晶態和非晶態之間相互轉化時所表現出來的導電...
存儲數據 發展歷史 物理變化 相互轉化 工作原理相變材料(PCM - Phase Change Material)是指溫度不變的情況下而改變物質狀態並能提供潛熱的物質。轉變物理性質的過程稱為相變過程，...
基本簡介 廣泛套用 建築材料 材料選擇國家存儲器基地位於武漢光谷，2016年3月28日正式開工建設。基地建設包括晶片製造、產業鏈配套等，在5年內投資240億美元（約1600億人民幣），到20...
項目簡介 產能規模 實施保證 建設意義導熱相變化材料關鍵性能是其相變的特性：在室溫下材料是固體，並且便於處理，可以將其作為乾墊清潔而堅固地，用於散熱片或器件的表面。 導熱相變化材料（PC）典...
相變存儲器(OUM) 奧弗辛斯基(Stanford...半導體學。一年以後，他首次描述了基於相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態...，人們將這一學說稱為奧弗辛斯基電子效應。相變存儲器是基於奧弗辛斯基效應的元件...
硬體介紹記憶體在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程式和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器...
硬體介紹 分類 頻率 發展 其他記憶體。60年代初期，她發現，馬氏體相變，包括其他一級相變的瞬態內耗的大小正比等於振動一周內馬氏體的轉變數。這個後來被寫進教科書的“馬氏體相變內耗規律...而暫時放下家務和兒女，帶領她的研究生向固體相變與內耗方面攻關。內耗既是...
人物經歷 主要成就 社會任職 獲獎記錄 人物評價，有望從2005年開始逐步取代現有的存儲器，並獲得廣泛套用。相變存儲器...描述了基於相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態變成晶體，再變回非晶體...電子效應。相變存儲器是基於奧弗辛斯基效應的元件，因此被命名為奧弗辛斯基電...
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