砷化鎵晶圓棒

砷化鎵 GaAs (Gallium arsenide) 是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能級雜質、電子有效質量小，能帶結構特殊，可作磊晶片。

套用範圍

由於傳送訊號的射頻元件需要工作頻率高、低功率消耗、低雜訊等特色，而砷化鎵本身具有光電特性與高速，因此砷化鎵多用於光電元件和高頻通訊用元件。砷化鎵可套用在WLAN、WLL、光纖通訊、衛星通訊、LMDS、VSAT等微波通訊上。不過，砷化鎵材料成本較高，使用的製程設備也與一般IC業者常用的矽製程設備不同。

優點介紹

與過去以半導體為主的矽微波元件相比，砷化鎵（GaAs）微波元件因輸出功率高，耗電量小及不易失真等特性，功能強過矽元件。此外，當傳輸速度超過去1GHz以上時，矽微波元件都不是砷化鎵元件的對手。目前看來，無線通訊產業採用砷化鎵的趨勢已逐漸成型。未來砷化鎵微波元件需求可望再倍增。