SAXS

SAXS 小角X射線散射（Small Scatterin

X 射線小角散射（small-angle x-ray scattering，簡稱：SAXS）是在靠近原光束附近很小角度內電子對X 射線的漫散射現象，也就是在倒易點陣原點附近處電子對X 射線相干散射現象. 在20 世紀 30 年代，Mark、Hendricks和Warren 觀察纖維素和膠體粉末時發現了SAXS 現象並提出了 SAXS 的原理.此後，Kratky、Guinier、Hosemann、Debye和Porod 等相繼建立和發展了 SAXS 理論並確立了SAXS 的套用. 至今他們的理論仍然是SAXS 方法研究高分子結構的基礎. 理論證明，小角散射花樣、強度分布與散射體的原子組成以及是否結晶無關，僅與散射體的形狀、大小分布及與周圍介質電子云密度差有關.可見，小角散射的實質是由於體系內電子云密度起伏所引起.

小角X射線散射（Small Angle X-Ray Scattering, SAXS）是研究納米尺度微結構的重要手段。根據SAXS理論，只要體系記憶體在電子密度不均勻（微結構，或散射體），就會在入射X光束附近的小角度範圍內產生相干散射，通過對小角X射線散射圖或散射曲線的計算和分析即可推導出微結構的形狀、 大小、分布及含量等信息。這些微結構可以是孔洞、粒子、缺陷、材料中的晶粒、非晶粒子結構等，適用的樣品可以是氣體、液體、 固體。同時，由於X射線具有穿透性，SAXS信號是樣品表面和內部眾多散射體的統計結果。相對於其它納米尺度分析表征手段，如SEM、TEM、AFM而言，SAXS具有結果有統計性、測試快速、無損分析、制樣簡單、適用範圍廣等優點。