相關詞條
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絕緣柵雙極電晶體
絕緣柵雙極電晶體（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力電晶體（Giant Transistor—GTR...
器件介紹 結構 工作特性 工作原理 發展前景 -
雙極電晶體
雙極電晶體，由兩個背靠背PN結構成的具有電流放大作用的晶體三極體。
簡介 分類 特點 影響 光電流 -
盡緣柵雙極電晶體
sistor，IGBT）。 圖1為IGBT的符號、內部結構等值電路及靜態特性。 圖1示出IGBT的輸出特性。
二、IGBT的基本特性 三、IGBT的發展遠景 -
電晶體
第一個電晶體。 1950年：威廉·邵克雷開發出雙極電晶體（Bipolar...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
電晶體[半導體器件]
所說的結型電晶體。其結構與pnp或npn雙極型電晶體類似,但在p_n材料...雙極電晶體（Bipolar JunctionTransistor），這是現在...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
電晶體[電子元件]
所說的結型電晶體。其結構與pnp或npn雙極型電晶體類似,但在p_n材料...雙極電晶體（Bipolar JunctionTransistor），這是現在...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
IGBT
，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極電晶體，起發射極的作用，向漏極注入空穴...結構IGBT結構圖左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極電晶體結構， N...集電極C）。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來...
結構 工作特性 原理 發展歷史 研發進展 -
視聽技術辭典
技術範圍 視聽技術小辭典 技術術語 CD索尼和飛利浦公司聯手研製的一種數字音樂光碟，有12cm直徑和8cm直徑兩種規格，...
技術範圍 技術術語 -
柵極和浮置柵
的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極電晶體，起發射極的作用，向漏極...PN結的正嚮導電方向。絕緣柵雙極電晶體本質上是一個場效應電晶體，只是在漏極...一個N溝道增強型絕緣柵雙極電晶體結構，N+區稱為源區，附於其上的電極稱為源...
柵極/浮置柵 IGBT的柵極出現過壓的原因 參考資料 -
圖解新概念電子電路
，nmo3.13 雙極電晶體3.14 絕緣柵雙極電晶體3.15 可控矽... 雙極電晶體的使用方法5.4 輸出端的連線5.5 集電極跟隨器（共發射極）與射極...和PNP的直流放大電路5.10 基極分壓電阻形式5.11 場效應型電晶體...
簡介 目錄
