電可擦可程式唯讀存儲器

電可擦可程式唯讀存儲器，英文簡稱：EEPROM，或稱 EPROM，EEPROM EPROM

電可擦可程式唯讀存儲器，英文簡稱：EEPROM，或稱 E2PROM，全稱(Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)。
相比 EPROM，EEPROM 不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除晶片上的信息，以便寫入新的數據。
EEPROM有四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦拭模式、校驗模式。讀取時，晶片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入時，晶片通過 Vpp（一般+25V）獲得編程電壓，並通過 PGM 編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦拭時，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線，便可以擦拭指定地址的內容。為保證寫入正確，在每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。
由於EEPROM的優秀性能，以及在線上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦拭的BIOS晶片以及快閃記憶體晶片，並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片，甚至取代部份的硬碟功能（見SSD）。它與高速 RAM 成為當前（21 世紀 00 年代）最常用且發展最快的兩種儲存技術。
他可以直接利用電氣訊號來更新程式，所以比 EPROM 更方便。