簡介
鑽石作為半導體材料具有最好的絕緣耐壓性能和最高的熱傳導率，但鑽石通常電阻非常大，限制了其套用。2011年9月，日本研究人員在鑽石中摻進雜質解決這一問題，首次製成了雙極型電晶體，為研製節能半導體元件開闢了新道路。
研究背景
鑽石作為半導體材料具有最好的絕緣耐壓性能和最高的熱傳導率，但鑽石通常電阻非常大，限制了其套用。日本研究人員在鑽石中摻進雜質解決這一問題，首次製成了雙極型電晶體，為研製節能半導體元件開闢了新道路。日本產業技術綜合研究所發表公報說，鑽石半導體材料的絕緣性決定了它在高電壓下也不會損壞，良好的熱傳導率使強電流通過時它能高效發散內部熱量。但是鑽石的高電阻成為它套用中的一大障礙。產業技術綜合研究所山崎聰主任研究員等研究人員注意到，即使向鑽石中摻入雜質，鑽石也能保持良好的結晶構造。在此基礎上，他們開發出了在鑽石中混入高濃度雜質的技術，並利用跳躍電導的機理大幅降低了鑽石的電阻。
套用
研究人員使用這種低電阻的鑽石，最終研製成功了高性能半導體元件所必需的雙極型電晶體。雙極型電晶體具有電流放大作用，作為一種高效的電流控制元件，已廣泛套用於廣播電視、電信、計算機、自動控制和家用電器等行業。
