表面犧牲層技術

所謂“表面犧牲層”技術，即在形成微機械結構的空腔或可活動的微結構過程中，先在下層薄膜上用結構材料澱積所需的各種特殊結構件，再用化學刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉，但不損傷微結構件，然後得到上層薄膜結構（空腔或微結構件）。 常用的結構材料有多晶矽、單晶矽、氮化矽、氧化矽和金屬等，常用犧牲層材料主要有氧化矽、多晶矽、光刻膠。 利用犧牲層可製造出多種活動的微結構，如微型橋、懸臂樑及懸臂塊等，此外常被用來製作敏感元件和執行元件，如諧振式微型壓力感測器、諧振式微型陀螺、微型加速度計及微型馬達、各種制動器等。

所謂“表面犧牲層”技術，即在形成微機械結構的空腔或可活動的微結構過程中，先在下層薄膜上用結構材料澱積所需的各種特殊結構件，再用化學刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉，但不損傷微結構件，然後得到上層薄膜結構（空腔或微結構件）。由於被去掉的下層薄膜只起分離層作用，故稱其為犧牲層（sacrificial 1ayer，厚度約1-2μm）。常用的結構材料有多晶矽、單晶矽、氮化矽、氧化矽和金屬等，常用犧牲層材料主要有氧化矽、多晶矽、光刻膠。利用犧牲層可製造出多種活動的微結構，如微型橋、懸臂樑及懸臂塊等，此外常被用來製作敏感元件和執行元件，如諧振式微型壓力感測器、諧振式微型陀螺、微型加速度計及微型馬達、各種制動器等。