溶劑蒸發法

溶劑蒸發法是指將溶劑中的水蒸發逸出,使溶液處於過飽和狀態,從而使晶體生長有足夠驅動力的晶體生長法。主要裝置有自控加熱器,轉晶電機,冷凝回收溶劑裝置等。生長時可以保持恆溫,用控制蒸發量來控制溶液的過飽和度,得到的晶體成分均勻,生長過程穩定,利於摻雜晶體生長。但是排出腐蝕溶劑,蒸發速率難控制,出現局部高過飽和度使晶體交叉生長。已用於製備倍頻晶體1.iTi()2和壓電品體Li,SH2。

生長時可以保持恆溫,用控制蒸發量來控制溶液的過飽和度,得到的晶體成分均勻,生長過程穩定,利於摻雜晶體生長。但是排出腐蝕溶劑,蒸發速率難控制,出現局部高過飽和度使晶體交又生長。已用於製備倍頻晶體1.iTi()2和壓電品體Li,SH2。