（三）密勒電容對器件性能的影響
密勒電容對器件的頻率特性有直接的影響：
（1）對於BJT的影響
在共射（CE）組態中，集電結電容勢壘電容正好是密勒電容，故CE組態的工作頻率較低。而在共基極（CB）組態中，集電結和發射結的勢壘電容都不是密勒電容，故CB組態的頻率特性較好，工作頻率高、頻頻寬。因此，把CE與CB組態結合起來，即可既提高了增益(CE的作用)，又改善了頻率特性（CB的作用）。對於由CC和CE組態構成的達林頓管，情況與CE組態相同，故頻率特性較差。而對於CC-CE複合管，因為去掉了密勒電容，故頻率特性較好。
（2）對於MOSFET的影響
MOSFET的輸出電容是柵極與漏極之間的復蓋電容Cdg。在共源組態中，Cdg正好跨接在輸入端(柵極)與輸出端(漏極)之間，故密勒效應使得等效輸入電容增大，導致頻率特性降低。在共柵極組態中，Cdg不是密勒電容，故頻率特性較好。對於MOSFET的共源-共柵組態，則既提高了增益（等於兩級增益的乘積，共源組態起主要作用），又改善頻率特性（共柵極組態起主要作用），從而可實現高增益、高速度和寬頻帶。
（四）密勒電容的用處
密勒電容也具有一定的好處，例如：
① 採用較小的電容來獲得較大的電容（例如製作IC中的頻率補償電容），這種技術在IC設計中具有重要的意義（可以減小晶片面積）；
② 獲得可控電容 (例如受電壓或電流控制的電容) 。
