半導體可飽和吸收鏡

頻寬 時間 閾值

基本結構

半導體可飽和吸收鏡（SESAM）的基本結構就是把反射鏡與半導體可飽和吸收體結合在一起。底層一般為半導體反射鏡，其上生長一層半導體可飽和吸收 體薄膜，最上層可能生長一層反射鏡或直接利用半導體與空氣的界面作為反射鏡，這樣上下兩個反射鏡就形成了一個法布里-珀羅腔，通過改變吸收體的厚度以及兩 反射鏡的反射率，可以調節吸收體的調製深度和反射鏡的頻寬。

半導體可飽和吸收鏡

一般來說半導體的吸收有兩個特徵弛豫時間，帶內熱平衡 (intraband thermalization) 弛豫時間和帶間躍遷 (interband transition) 弛豫時間。帶內熱平衡弛豫時間很短，在100-200 fs左右，而帶間躍遷弛豫時間則相對較長，從幾ps到幾百ps。帶內熱平衡弛豫時間基本上無法控制，而帶間躍遷弛豫時間主要取決於半導體生長時襯底的溫 度，生長時的溫度越低，帶間躍遷弛豫時間越短。在SESAM鎖模過程中，回響時間較長的帶間躍遷 (如載流子重組) 提供了鎖模的自啟動機制，而回響時間很短的帶內熱平衡可以有效壓縮脈寬、維持鎖模。

主要參數

SESAM（半導體可飽和吸收鏡）主要參數：
型號 中心
波長 高反射
頻寬 吸收
率 調製
深度 馳閾
時間 損傷
閾值 能量飽
和密度