假次生包裹體

假次生包裹體是礦物晶體生長過程中受到應力作用影響產生微小裂隙，此時生長晶體的流體介質自然地進入其中，並被繼續生長的主礦物晶體圈閉而形成的包裹體。

假次生包裹體（pseudosecondary inclusion）是礦物晶體生長過程中受到應力作用影響產生微小裂隙，此時生長晶體的流體介質自然地進入其中，並被繼續生長的主礦物晶體圈閉而形成的包裹體。它們沿主礦物晶體內部裂隙（未切穿主礦物晶體）分布，所封存的流體同是形成原生包裹體和主礦物的流體，與原生包裹體具有相同的代表性，但其空間分布上卻具有與次生包裹體相似的特徵，但不切穿主礦物顆粒邊界，是真原生的假次生包裹體。