TiO2納米管陣列的沉積改性與物性研究

內容介紹《TiO2納米管陣列的沉積改性與物性研究》從有利於後續功能化改性的納米管陣列的製備出發,通過掌握CdS及CdSe在TiO2納米管內的沉積機理,實現其在納米管內的可控沉積。 然後將特定功函的金屬沉積在CdSe/CdS/TiO2材料上。 改性過程將窄帶半導體材料的可控沉積、改性成分長效保護、異質結/Schottky結等多重技術結合起來,探求TiO2納米管陣列改性材料的性能與各相關參數的關係及其電荷傳輸機制,將為納米TiO2光催化劑、光電轉換器件等的發展開闢一個新的方向,為設計和製備具有良好光電轉換性能、光催化性能的器件和新型功能薄膜提供依據。

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《TiO2納米管陣列的沉積改性與物性研究》從有利於後續功能化改性的納米管陣列的製備出發,通過掌握CdS及CdSe在TiO2納米管內的沉積機理,實現其在納米管內的可控沉積。然後將特定功函的金屬沉積在CdSe/CdS/TiO2材料上。改性過程將窄帶半導體材料的可控沉積、改性成分長效保護、異質結/Schottky結等多重技術結合起來,探求TiO2納米管陣列改性材料的性能與各相關參數的關係及其電荷傳輸機制,將為納米TiO2光催化劑、光電轉換器件等的發展開闢一個新的方向,為設計和製備具有良好光電轉換性能、光催化性能的器件和新型功能薄膜提供依據。

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