存取周期

存取周期

存儲器進行一次“讀”或“寫”操作所需的時間稱為存儲器的訪問時間(或讀寫時間),而連續啟動兩次獨立的“讀”或“寫”操作(如連續的兩次“讀”操作)所需的最短時間,稱為存取周期(或存儲周期)。

基本信息

概念

存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”,是指將存儲單元與存儲暫存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔,稱為“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns~10ns。

其中存儲單元(memory location)簡稱“單元”。為存儲器中存儲一機器字或一位元組的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元,並按一定順序編號,稱為“地址”。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數字,則稱為“字”。字的長度,即字所包含的位數,稱為“字長”。如以位元組來劃分存儲單元,則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內容一經寫入,雖經反覆使用,仍保持不變。如須寫入新內容,則原內容被“衝掉”,而變成新寫入的內容。

存儲器(storage)又稱“記憶裝置”。能按一定地址隨機存取計算程式、原始數據、中間和最後結果的裝置。存儲器須保存大量表示數據或程式的二進制代碼,故“按地址”存取的組織方式,將其分成眾多單元(稱“存儲單元”),並按一定順序編號(稱“地址”),以便按地址根據指令的要求存取。常以存儲容量和存取周期作為衡量性能的主要指標。

意義

為存儲器的性能指標之一,直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短,運算速度愈快,但對存儲元件及工藝的要求也愈高。

例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那么半導體存儲器的性能一般比磁芯存儲器的性能要好。

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