《鐵電存儲器》

《鐵電存儲器》

《鐵電存儲器》是美國Colorado大學教授斯科特主編,清華大學出版社於2004年9月出版的關於鐵電存儲器知識的書籍。

基本信息

《鐵電存儲器》《鐵電存儲器》
【作者】斯科特[同作者作品][作譯者介紹]
【出版社】清華大學出版社
【書號】7302090149
【出版日期】2004年9月
【版次】1-1
【所屬分類】工業技術>電工技術>電路教材>研究生/本科/專科教材>工學>儀器儀表類

鐵電存儲器是近10餘年研究出的一種重量輕、存取速度快、壽命長、功耗低的新型存儲器,有極好的套用背景。本書是引領域的第一本專著,內容包括鐵電基礎知識鐵電存儲器件的設計、工藝檢測存儲物理有關的問題(擊穿漏電流開關機制疲勞)以及鐵電存儲器件的套用。全書引用550篇文獻,概括了2000年之前人類在該領域所做的主要工作,其中包括著者本人的工作。本書內容新穎、實用、既有理論又有套用(側重前者)。可供積體電路工程師、器件物理學家參考,也可作為套用物理和工程類專業高年級本科生的教學參考書。

作者簡介

Prof.Scott就學於美國哈佛大學俄贏亥俄州大學,畢業後在Bell電話實驗室量子電子部工作了六年。他曾是美國Colorado大學教授(1971-1992),隨後在澳大利亞墨爾本和悉尼工作七年,任新南威爾斯大學理學院院長。1999年起他成為英國劍橋大學鐵性材料研究的教授。

Scott教授在科不雜誌上已發表論文400餘篇,是5本書的著作或共著者。他是美國物理學會Fellow,並且從德國得到高級Humboldt獎(1997-1998),從日本得到Monkasho獎(2001),在莫斯科得到名譽博士學位(2003)。他是美國Symetrix公司的創始人之一,並任該公司的指導委員會主席。1997年他曾以科學訪問教授身份服務於日本Sony公司。

目錄

1.導言
1.1鐵電體的基本性質:體材料
1.2鐵電薄膜:退極化場和有限尺寸效應
2.RAM的基本性質
2.1系統設計
2.2實際器件
2.3測試
3.DRAM和NV-RAM的電擊穿
3.1熱擊穿機制
3.2VonHippel方程
3.3枝晶狀擊穿
3.4擊穿電壓不對稱和漏電流不對稱
4.漏電流
4.1Schottky發射
4.2鐵電薄膜Schottky理論的修正
4.3電荷注人
4.4空間電荷限制電流BCLC
4.5負電阻率
5.電容-電壓關係C(V)
5.1支持薄耗盡層的方面
5.2支持完全耗盡薄的論據
5.3Zuleeg-Dey模型
5.4混合模型
5.5基於XPS的能帶結構以匹配關係
5.6離子空間電荷限制電流
……
6.開關動力學
7.電荷注入和疲勞
8.頻率依賴
9.製備過程中的相序
10.CBT族Aurivillius相層狀結構
11.澱積和工藝
12.非破壞性出器件
13.基於超導體的鐵電器件:相控陣雷達和
14.薄膜黏結
15.電子發射和平面顯示器
16.光學器件
17.納米相器件
18.缺點和不足
習題
參考文獻
索引

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