LDD結構

LDD結構即是在溝道中靠近漏極的附近設定一個低摻雜的漏區，讓該低摻雜的漏區也承受部分電壓，這種結構可防止熱電子退化效應。

實際上，現在這種結構已經成為了大規模積體電路中MOSFET的基本結構。

LDD結構