高溫製程

RTP）之工作溫度範圍與多晶矽及磊晶矽製程有部分重疊，其本質差異卻極大。 RTP並不用來沈積薄膜，而是用來修正薄膜性質與製程結果。 RTP通常用於回火製程（ann

多晶矽（poly）通常用來形容半導體電晶體之部分結構：至於在某些半導體組件上常見的磊晶矽（epi）則是長在均勻的晶圓結晶表面上的一層純矽結晶。 多晶矽與磊晶矽兩種薄膜的套用狀況雖然不同，卻都是在類似的製程反應室中經高溫（600℃至1200℃）沉積而得。
即使快速高溫製程（Rapid Thermal Processing, RTP）之工作溫度範圍與多晶矽及磊晶矽製程有部分重疊，其本質差異卻極大。RTP並不用來沈積薄膜，而是用來修正薄膜性質與製程結果。RTP將使晶圓歷經極為短暫且精確控制高溫處理過程，這個過程使晶圓溫度在短短的10至20秒內可自室溫升到1000℃。RTP通常用於回火製程（annealing），負責控制組件內摻質原子之均勻度。此外RTP也可用來矽化金屬，及透過高溫來產生含矽化之化合物與矽化鈦等。最新的發展包括，使用快速高溫製程設備在晶極重要的區域上，精確地沉積氧及氮薄膜。